Infineon Isoliert HEXFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4 A 1.4 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 826-8866P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7309TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.4W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.4W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
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