ROHM N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 9 A 50 W, 3-Pin TO-220FM
- RS Best.-Nr.:
- 826-7529P
- Herst. Teile-Nr.:
- R5009ANX
- Hersteller:
- ROHM
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 826-7529P
- Herst. Teile-Nr.:
- R5009ANX
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V | |
| Gehäusegröße | TO-220FM | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 720 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Verlustleistung max. | 50 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 4.8mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| Länge | 10.3mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 15.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 500 V | ||
Gehäusegröße TO-220FM | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 720 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Verlustleistung max. 50 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 4.8mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 21 nC @ 10 V | ||
Länge 10.3mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 15.4mm | ||
- Ursprungsland:
- TH