Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 7 A 34 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
825-9146
Herst. Teile-Nr.:
BSC22DN20NS3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

225mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

34W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.2nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.35mm

Breite

6.35 mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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