Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 7 A 34 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 825-9146
Herst. Teile-Nr.:: BSC22DN20NS3GATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 7 A 34 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:: 825-9146
Herst. Teile-Nr.:: BSC22DN20NS3GATMA1
Hersteller:: Infineon

BSC22DN20NS3 G, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	7 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Serie	OptiMOS™ 3
Gehäusegröße	TDSON
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	225 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	34 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	4,2 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	6.35mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	5.35mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.1mm

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Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr

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