Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 7 A 34 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 825-9146
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC22DN20NS3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 225mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.35mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 225mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.35mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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