Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 40 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 823-5645
- Herst. Teile-Nr.:
- SPA08N80C3XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 823-5645
- Herst. Teile-Nr.:
- SPA08N80C3XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.65mm | |
| Breite | 4.85 mm | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.65mm | ||
Breite 4.85 mm | ||
Höhe 16.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon CoolMOS™ MOSFET der Serie C3, 8 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 40 W maximale Verlustleistung - SPA08N80C3XKSA1
Dieser Leistungstransistor ist für Hochspannungsanwendungen konzipiert, wobei der Schwerpunkt auf Effizienz und Wärmemanagement liegt. Er ist ein wichtiger Bestandteil moderner industrieller Anwendungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Maximaler kontinuierlicher Drainstrom von 8 A
• Hält Drain-Source-Spannungen von bis zu 800 V stand
• Niedriger Durchlasswiderstand erhöht die Effizienz
• Ultra-niedrige Gate-Ladung ermöglicht schnelleren Betrieb
• Robuste Leistung über einen breiten Temperaturbereich
• Vollständig isolierte Verpackung für mehr Sicherheit
Anwendungsbereich
• Einsatz in Industrieanlagen, die hohe Gleichspannungen benötigen
• Geeignet für aktives Klemmenvorwärtsschalten
• Anwendbar in Energieumwandlungssystemen
• Eingesetzt in Automatisierungsprozessen und elektrischen Steuerungssystemen
Welcher Temperaturbereich ist für die Verwendung vorgesehen?
Das Produkt arbeitet effektiv bei Temperaturen von -55°C bis +150°C und bietet Stabilität in verschiedenen Umgebungen.
Wie kann die Wärmeleistung während des Betriebs aufrechterhalten werden?
Angemessene Wärmeableitung ist entscheidend; der Wärmewiderstand des Sperrschichtgehäuses wird mit 3,8 K/W gemessen.
Kann das Gerät bei wiederholten Lawinenabgängen verwendet werden?
Ja, es ist für wiederholte Lawinenbedingungen ausgelegt, wobei die Energiegrenzen in den Produktspezifikationen angegeben sind.
Welche Bedeutung haben extrem niedrige effektive Kapazitäten?
Extrem niedrige effektive Kapazitäten verbessern die Schaltleistung und minimieren die Energieverluste bei Übergängen.
Wie sollte ich dieses Produkt in meinem Stromkreis installieren?
Verwenden Sie die Durchsteckmontage in einem TO-220-Gehäuse und achten Sie auf ein angemessenes Anzugsdrehmoment der Montageschrauben, um Beschädigungen zu vermeiden.
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