DiodesZetex Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4.4 A 2.14 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
823-4012
Herst. Teile-Nr.:
DMN6066SSD-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

97mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.89V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

2.14W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Normen/Zulassungen

MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020

Breite

4mm

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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