DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8 A 1.46 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
823-3233P
Herst. Teile-Nr.:
DMN4800LSSL-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

DMN

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.94V

Maximale Verlustleistung Pd

1.46W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Länge

4.95mm

Breite

3.95 mm

Automobilstandard

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

N-Kanal-MOSFET, 30 V, Diodes Inc


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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