DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A 1,46 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 823-3233
Herst. Teile-Nr.:: DMN4800LSSL-13
Hersteller:: DiodesZetex

DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A 1,46 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 823-3233
Herst. Teile-Nr.:: DMN4800LSSL-13
Hersteller:: DiodesZetex

N-Channel Enhancement Mode Mosfet Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	8 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	20 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.6V
Verlustleistung max.	1,46 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	3.95mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	8,7 nC bei 5 V
Länge	4.95mm
Höhe	1.5mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A 1,46 W, 8-Pin SOIC

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N-Kanal-MOSFET, 30 V, Diodes Inc

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