DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 3.1 A 1.7 W, 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
823-1877
Herst. Teile-Nr.:
ZXMHC3A01T8TA
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

330mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.9nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.7W

Durchlassspannung Vf

0.95V

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Vollbrücke

Höhe

1.6mm

Länge

6.7mm

Normen/Zulassungen

MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020

Anzahl der Elemente pro Chip

4

Automobilstandard

Nein

MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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