DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 260 mA 400 mW, 6-Pin SC-88

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RS Best.-Nr.:
822-2598
Herst. Teile-Nr.:
DMN63D8LDW-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

260mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.4nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

400mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Breite

1.35 mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101

Länge

2.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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