Vishay Si9407BDY Typ P-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 4.7 A 5 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

€ 18,44

(ohne MwSt.)

€ 22,12

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 1 280 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 80€ 0,922€ 18,44
100 - 180€ 0,70€ 14,00
200 - 480€ 0,645€ 12,90
500 - 980€ 0,507€ 10,14
1000 +€ 0,48€ 9,60

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
818-1444
Herst. Teile-Nr.:
SI9407BDY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

TrenchFET Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

Si9407BDY

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.12Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8nC

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Höhe

1.55mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links