- RS Best.-Nr.:
- 818-1371
- Herst. Teile-Nr.:
- SI6954ADQ-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 818-1371
- Herst. Teile-Nr.:
- SI6954ADQ-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TW
Informationen zur Produktgruppe
Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 3,1 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | TSSOP |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 75 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 830 mW |
Transistor-Konfiguration | Isoliert |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Breite | 3.1mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
Länge | 4.5mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 1.05mm |
- RS Best.-Nr.:
- 818-1371
- Herst. Teile-Nr.:
- SI6954ADQ-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay