Vishay Si5418DU Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 11.6 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET

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RS Best.-Nr.:
818-1318
Herst. Teile-Nr.:
SI5418DU-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK ChipFET

Serie

Si5418DU

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

31W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.08mm

Breite

1.98 mm

Höhe

0.85mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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