Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,9 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET

RS Best.-Nr.:: 818-1312
Herst. Teile-Nr.:: SI5419DU-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,9 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET

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RS Best.-Nr.:: 818-1312
Herst. Teile-Nr.:: SI5419DU-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Si5419DU, P-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	9,9 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	PowerPAK ChipFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	33 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	31 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	30 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	3.08mm
Breite	1.98mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	0.85mm

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,9 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET

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P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor

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