Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
814-1323
Herst. Teile-Nr.:
SISS27DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

92nC

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.3mm

Höhe

0.78mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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