Vishay Si4178DY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 12 A 5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 812-3205
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4178DY-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | Si4178DY | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.55mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie Si4178DY | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.55mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der Serie Si4178DY von Vishay, 30 V maximale Drain-Quellenspannung, 12 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SI4178DY-T1-GE3
Es handelt sich um einen oberflächenmontierten N-Kanal-MOSFET für Leistungsschalt- und Hochstromanwendungen in elektronischen Systemen. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor und wird in einem SOIC-8-Gehäuse für die Leiterplattenmontage geliefert. Das Gerät unterstützt das Schalten moderater Spannungen und eignet sich für Designs, die kompakte Leistungstransistoren mit kontrollierten Gate-Lade-Eigenschaften erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Ableiterspannung von 30 V ermöglicht Niederspannungs-Stromversorgungsschaltung • 12 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Lastströme • 33 mΩ Drain-Source-Widerstand für reduzierte Leitungsverluste • 7,5 nC typische Gate-Ladung für schnellere Schaltübergänge • 5 W Verlustleistung für dauerhafte thermische Leistung • Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C für breite thermische Toleranz
Anwendungen
• Geeignet für DC-Stromverteilungsschalter in Automationsschalttafeln • Ideal für Motortreiber-Low-Side-Schaltung in industriellen Antrieben • Wird zum Schalten der Last in Stromverwaltungsschaltkreisen für Steuerungssysteme verwendet • Kann für synchrone Gleichrichtung in kompakten Leistungswandlern verwendet werden • Geeignet für Batterieschutz und Power-Path-Steuerung in Maschinen
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?
Die Gate-Source-Spannung darf ±25 V nicht überschreiten, um Gate-Oxid-Spannungen zu vermeiden und ein zuverlässiges Schalten zu gewährleisten.
Wie sollte das Wärmemanagement auf der Leiterplatte behandelt werden?
Mit einer Verlustleistung von 5 W bieten sie eine ausreichende Kupferfläche und Wärmeleitungen, um die Sperrschichttemperatur während des kontinuierlichen Hochstrombetriebs zu senken.
Welche Überlegungen zur Anzahl der Pins und des Gehäuses beeinflussen das Layout?
Das Gerät wird in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse geliefert, sodass die Schienenbreiten und der Pad-Abstand für die Oberflächenmontage und die Wärmeleitung geeignet sein sollten.
Welche elektrischen Eigenschaften regeln die Schaltgeschwindigkeit in Impulsanwendungen?
Die typische Gate-Ladung von 7,5 nC ist der Schlüsselparameter, der die Antriebsanforderungen und Schaltübergangszeiten bei der Auswahl von Gate-Treibern beeinflusst.
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