Vishay Si4178DY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 12 A 5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
812-3205
Herst. Teile-Nr.:
SI4178DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

Si4178DY

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

33mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Durchlassspannung Vf

0.85V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Höhe

1.55mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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