onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 77 A 592 W, 3-Pin TO-247

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 10,35

(ohne MwSt.)

€ 12,42

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lieferengpass
  • Zusätzlich 437 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück
Pro Stück
1 +€ 10,35

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
809-5053
Herst. Teile-Nr.:
FCH041N60E
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

77A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

SuperFET II

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

285nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

592W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.82 mm

Höhe

20.82mm

Länge

15.87mm

Automobilstandard

Nein

SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern.

Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links