onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.1 A 1.6 W, 6-Pin SOT-23

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
809-0871
Herst. Teile-Nr.:
FDC855N
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

39mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Durchlassspannung Vf

800mV

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Länge

3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.7mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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