QFET FQH8N100C N-Kanal MOSFET, 1000 V / 8 A, 225 W, TO-247 3-Pin

Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Ursprungsland: MY
Informationen zur Produktgruppe

N-Kanal-MOSFET QFET®, 6 A bis 10,9 A, Fairchild Semiconductor

Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 8 A
Drain-Source-Spannung max. 1000 V
Gehäusegröße TO-247
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 1,45 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 3V
Verlustleistung max. 225 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 4.82mm
Höhe 20.82mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 53 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. -55 °C
Transistor-Werkstoff Si
Länge 15.87mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Serie QFET
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