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Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
IXYS HiperFET, Polar3 IXFX98N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 98 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247
RS Best.-Nr.:
802-4506P
Herst. Teile-Nr.:
IXFX98N50P3
Hersteller:
IXYS
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Nicht mehr im Sortiment
RS Best.-Nr.:
802-4506P
Herst. Teile-Nr.:
IXFX98N50P3
Hersteller:
IXYS
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Technische Daten des gezeigten Artikels
IXFK98N50P3, IXFX98N50P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Konformitätserklärung
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
98 A
Drain-Source-Spannung max.
500 V
Serie
HiperFET, Polar3
Gehäusegröße
PLUS247
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Drain-Source-Widerstand max.
50 mΩ
Channel-Modus
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Verlustleistung max.
1,3 kW
Transistor-Konfiguration
Einfach
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
16.13mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs
197 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff
Si
Breite
5.21mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
21.34mm