IXYS HiperFET, Polar3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 26 A 500 W, 3-Pin TO-3P

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme 2 Stück (geliefert in Stange)*

€ 15,86

(ohne MwSt.)

€ 19,04

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 160 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
2 +€ 7,93

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
802-4458P
Herst. Teile-Nr.:
IXFQ26N50P3
Hersteller:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-3P

Serie

HiperFET, Polar3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

240mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

20.3mm

Breite

4.9 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.8mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links