IXYS HiperFET, Q3-Class IXFT18N100Q3 N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 18 A 830 W, 3-Pin TO-268
- RS Best.-Nr.:
- 801-1461
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFT18N100Q3
- Hersteller:
- IXYS
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3
Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.
Schnelle interne Gleichrichterdiode
Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Industriestandard-Gehäuse
Niedrige Gehäuseinduktivität
Hohe Leistungsdichte
Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Industriestandard-Gehäuse
Niedrige Gehäuseinduktivität
Hohe Leistungsdichte
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 18 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 1000 V |
| Gehäusegröße | TO-268 |
| Serie | HiperFET, Q3-Class |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 660 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 6.5V |
| Verlustleistung max. | 830 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Breite | 14mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 16.05mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 5.1mm |