Nexperia Einfach N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V Erweiterung / 100 A 114 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 798-2959
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN3R4-30PL,127
- Hersteller:
- Nexperia
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 798-2959
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN3R4-30PL,127
- Hersteller:
- Nexperia
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 30 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 100 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 114 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Höhe | 16 mm | |
| Länge | 10.3 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 4.1 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V, -20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 30 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 100 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 114 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Höhe 16 mm | ||
Länge 10.3 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 4.1 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V, -20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 4.7 mm | ||
- Ursprungsland:
- PH
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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