Nexperia N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 100 A 114 W, 3-Pin TO-220AB

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
798-2959
Herst. Teile-Nr.:
PSMN3R4-30PL,127
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,1 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.15V

Gate-Schwellenspannung min.

1.3V

Verlustleistung max.

114 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.7mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.3mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

64 nC @ 10 V

Höhe

16mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V



MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

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