Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 59 A 89 W, 4-Pin SOT-669

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RS Best.-Nr.:
798-2823
Herst. Teile-Nr.:
PSMN012-60YS,115
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

59A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-669

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.1 mm

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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