Nexperia PMPB11EN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 9 A 12.5 W, 8-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
798-2779
Herst. Teile-Nr.:
PMPB11EN,115
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

DFN

Serie

PMPB11EN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

12.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.1mm

Höhe

0.65mm

Breite

2.1 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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