Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 796-5106
Herst. Teile-Nr.:: TK58E06N1
Hersteller:: Toshiba

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:: TK58E06N1
Hersteller:: Toshiba

TK58E06N1, Silicon N-channel MOSFET (U-MOSVIII-H) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	105 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	TK
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	5,4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	10.16mm
Breite	4.45mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	46 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	15.1mm

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220

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