Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8 A 4.4 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*

€ 9,70

(ohne MwSt.)

€ 11,65

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 28. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
5 - 45€ 1,94€ 9,70
50 - 120€ 1,826€ 9,13
125 - 245€ 1,646€ 8,23
250 - 495€ 1,552€ 7,76
500 +€ 1,454€ 7,27

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
787-9462
Herst. Teile-Nr.:
SQ4920EY-T1_GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

4.4W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.7nC

Durchlassspannung Vf

0.75V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links