Vishay Isoliert TrenchFET N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8 A 4.4 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
787-9462
Herst. Teile-Nr.:
SQ4920EY-T1_GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.7nC

Durchlassspannung Vf

0.75V

Gate-Source-spannung max Vgs

-20, +20V

Maximale Verlustleistung Pd

4.4W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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