Vishay Si2319CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 4.4 A 2.5 W, 3-Pin SI2319CDS-T1-GE3 SOT-23

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787-9042
Herst. Teile-Nr.:
SI2319CDS-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

Si2319CDS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

108mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Höhe

1.02mm

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

MERKMALE

• halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21

Definition

• TrenchFET ® Leistungs-MOSFET

• 100 % Rg geprüft

• Erfüllt RoHS-Direktive 2002/95/EG

ANWENDUNGEN

• Lastschalter

• DC/DC-Wandler

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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