onsemi P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 12 A 62,5 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 780-4736
Herst. Teile-Nr.:: NTP2955G
Hersteller:: onsemi

onsemi P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 12 A 62,5 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 780-4736
Herst. Teile-Nr.:: NTP2955G
Hersteller:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	12 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	196 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	62,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	14 nC @ 10 V
Länge	10.28mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	4.82mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	9.28mm

onsemi P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 12 A 62,5 W, 3-Pin TO-220

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P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor

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