Renesas Electronics P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,6 A 200 mW, 3-Pin SOT-416 (SC-75)
- RS Best.-Nr.:
- 772-5270P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ648-T1-A
- Hersteller:
- Renesas Electronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,6 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-416 (SC-75) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,98 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.8V | |
| Verlustleistung max. | 200 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 1.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 0.8mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,6 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-416 (SC-75) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,98 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.8V | ||
Verlustleistung max. 200 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 1.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 0.8mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
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