Renesas Electronics P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 75 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
772-5245P
Herst. Teile-Nr.:
2SJ553L-E
Hersteller:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

120 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

55 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Verlustleistung max.

75 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.44mm

Länge

10.2mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

10mm

P-Kanal-MOSFET, Renesas Electronics (NEC)



MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)