Vishay E Series SIHG30N60E-E3 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 600 V / 29 A 250 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 768-9338P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG30N60E-E3
- Hersteller:
- Vishay
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N-Kanal-MOSFET, E-Serie, Niedriger Gütefaktor, Vishay Semiconductor
Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind in zahlreichen Nennströmen erhältlich. Typische Anwendungen umfassen Server und Stromversorgung für die Telekommunikation, LED-Beleuchtung, Sperrwandler, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Schaltnetzteile (SMPS).
Merkmale
Niedriger Gütefaktor (FOM), niedriger RDS(ein) x Qg
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Niedriger Widerstand (RDS(ein))
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste