STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 1 A 30 W, 3-Pin IPAK

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RS Best.-Nr.:
761-2704
Herst. Teile-Nr.:
STD1NK60-1
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

IPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Maximale Verlustleistung Pd

30W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.2 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.6mm

Höhe

2.4mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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