STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 22 A 400 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
760-9780
Herst. Teile-Nr.:
STW25N95K3
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

22 A

Drain-Source-Spannung max.

950 V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

MDmesh K3, SuperMESH3

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

360 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

400 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

105 nC @ 10 V

Breite

5.15mm

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

15.75mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

20.15mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

N-Kanal MDmesh™ K3-Serie, SuperMESH3™, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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