STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 5.2 A 125 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
760-9516
Herst. Teile-Nr.:
STB7NK80ZT4
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

10.4 mm

Höhe

4.6mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.75mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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