STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 5.2 A 125 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 760-9516
- Herst. Teile-Nr.:
- STB7NK80ZT4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 17,52
(ohne MwSt.)
€ 21,025
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 50 Einheit(en) mit Versand ab 22. Juni 2026
- Zusätzlich 240 Einheit(en) mit Versand ab 29. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 3,504 | € 17,52 |
| 10 - 95 | € 2,968 | € 14,84 |
| 100 - 495 | € 2,328 | € 11,64 |
| 500 - 995 | € 1,976 | € 9,88 |
| 1000 + | € 1,63 | € 8,15 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9516
- Herst. Teile-Nr.:
- STB7NK80ZT4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Länge | 10.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.6mm | ||
Länge 10.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 5.2 A 125 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 5.2 A 125 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal 3-Pin
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A 25 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 9 A 40 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 70 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 6.2 A 30 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 9 A 160 W, 3-Pin TO-220