onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 4.1 A 5 W, 8-Pin SOIC

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759-9692
Herst. Teile-Nr.:
FDS86242
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

126mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.9nC

Durchlassspannung Vf

0.81V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.5mm

Länge

4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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