onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 35 V / 55 A 57 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
759-9093
Herst. Teile-Nr.:
FDD6637
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

35V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

19mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Höhe

2.39mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Kfz-P-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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