Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 50 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
754-5298
Herst. Teile-Nr.:
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.1 mm

Länge

5.35mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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