Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 240 V / 350 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 753-2800P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP129H6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- BSP129H6327XTSA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 240V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Breite | 3.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 240V | ||
Serie SIPMOS | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.6mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Breite 3.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.