Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 800 V / 11 A 34 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 752-8476
- Herst. Teile-Nr.:
- SPA11N80C3XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.45Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.65mm | |
| Höhe | 9.83mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.45Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.65mm | ||
Höhe 9.83mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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