DiodesZetex DMG1012T-7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 630 mA 280 mW, 3-Pin SC-89
- RS Best.-Nr.:
- 751-4064
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG1012T-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 630mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMG1012T-7 | |
| Gehäusegröße | SC-89 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.74nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 280mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 1.7mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q104, AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 630mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMG1012T-7 | ||
Gehäusegröße SC-89 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.74nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 280mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 1.7mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q104, AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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