DiodesZetex DMG1012T-7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 630 mA 280 mW, 3-Pin SC-89

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751-4064
Herst. Teile-Nr.:
DMG1012T-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

630mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

DMG1012T-7

Gehäusegröße

SC-89

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.74nC

Gate-Source-spannung max Vgs

6 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

280mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

0.85 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.8mm

Länge

1.7mm

Automobilstandard

AEC-Q104, AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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