onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 9.5 A 900 mW, 6-Pin MLP

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RS Best.-Nr.:
739-6241
Herst. Teile-Nr.:
FDMA410NZ
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

MLP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

50mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

900mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2 mm

Länge

2mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.75mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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