Wissensportal
Unsere Marken
Services
Paketnachverfolgung
Login / Registrierung
Anmelden
/
Registrieren
um Ihre Vorteile zu nutzen
Menü
Teile-Nr.
Kürzlich gesucht
Automation
Beleuchtung
Gehäuse und Server-Racks
Heizung, Lüftung & Klimatechnik
Kabel und Drähte
Relais und Signalaufbereitung
Schalter
Sicherungen und Leitungsschutzschalter
Batterien und Ladegeräte
Displays und Optoelektronik
ESD-Kontrolle, Reinraum und Leiterplatten-Prototyping
Halbleiter
Passive Bauelemente
Raspberry Pi, Arduino, ROCK und Entwicklungstools
Steckverbinder
Stromversorgungen & Transformatoren
Befestigungsmaterial
Elektrowerkzeuge Löten & Schweißen
Handwerkzeuge
Klebstoffe, Dichtmittel & Klebebänder
Konstruktionsmaterialien und industrielle Systemteile
Lager und Dichtungen
Mechanische Kraftübertragung
Pneumatik und Hydraulik
Rohrleitungen & Rohrverbinder
Zugang, Aufbewahrung und Materialhandhabung
Bürobedarf
Computertechnik und Peripheriegeräte
Gebäude- und Arbeitssicherheit
Mess- und Prüftechnik
Persönliche Schutzausrüstung und Arbeitskleidung
Reinigungs- und Wartungsmaterialien
Sicherheit & Eisenwaren
/
Halbleiter
/
Diskrete Halbleiter
/
MOSFET
Semelab TetraFET N-Kanal, Schraub MOSFET 70 V / 10 A 87 W, 4-Pin DA
RS Best.-Nr.:
738-7657P
Herst. Teile-Nr.:
D1002UK
Hersteller:
Semelab
Alle MOSFET anzeigen
Nicht mehr im Sortiment
RS Best.-Nr.:
738-7657P
Herst. Teile-Nr.:
D1002UK
Hersteller:
Semelab
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Technische Daten des gezeigten Artikels
RF MOSFET 40W 28V 175MHz Single-Ended DA
ESD Control Selection Guide V1
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Konformitätserklärung
Ursprungsland:
GB
HF-MOSFET-Transistoren, Semelab
MOSFET-Transistoren, Semelab
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
10 A
Drain-Source-Spannung max.
70 V
Serie
TetraFET
Gehäusegröße
DA
Montage-Typ
Schraubmontage
Pinanzahl
4
Channel-Modus
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.
7V
Verlustleistung max.
87 W
Transistor-Konfiguration
Einfach
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff
Si
Länge
24.76mm
Breite
9.52mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
+200°C
Höhe
6.6mm