Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.6 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 725-9366P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML9301TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 64mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Distrelec Product Id | 304-45-320 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 64mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.02mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Distrelec Product Id 304-45-320 | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 3,6 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IRLML9301TRPBF
Dieser MOSFET-Halbleiter ist für ein effizientes Leistungsmanagement in verschiedenen elektronischen Anwendungen konzipiert. Er zeichnet sich durch ein oberflächenmontiertes (SOT-23) Design aus, das eine einfache Integration in kompakte elektronische Schaltungen ermöglicht. Das Bauteil arbeitet effektiv mit einem maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 3,6 A und kann eine maximale Drain-Source-Spannung von 30 V verarbeiten.
Eigenschaften und Vorteile
• Die Konfiguration im Erweiterungsmodus ermöglicht einen effizienten Betrieb
• Hoher Gate-Schwellenspannungsbereich erhöht die Zuverlässigkeit
• Höhere thermische Belastbarkeit
• Optimiert für Pulled-Drain-Stromwerte, erhöht die Leistungszuverlässigkeit
Anwendungen
• Für die Energieverwaltung in tragbaren Geräten
• Ideal für Automatisierungssteuerungen
• Verwendet in Audioverstärkern und Signalprozessoren
• Geeignet für DC-DC-Wandler in erneuerbaren Energiesystemen
• Hervorragend geeignet für den Antrieb von Motoren in Robotern
Wie wirkt sich der niedrige Wert des Einschaltwiderstands auf die Leistung aus?
Der niedrige Einschaltwiderstand von 64 mΩ ermöglicht eine geringere Wärmeentwicklung während des Betriebs, was den Gesamtwirkungsgrad erhöht und die Lebensdauer der Komponenten in Hochstromanwendungen verlängert.
Welchen Nutzen hat der Anreicherungsmodus für die Schaltungsentwicklung?
Der Anreicherungsmodus ermöglicht es dem MOSFET, ausgeschaltet zu bleiben, bis eine bestimmte Gate-Spannung erreicht ist, und bietet so eine zuverlässige Schaltsteuerung, die sich für verschiedene elektronische Designs eignet, ohne unnötigen Leistungsverlust.
Kann dieses Bauteil hohen Temperaturen standhalten?
Ja, er ist für einen zuverlässigen Betrieb bei Temperaturen von bis zu +150 °C ausgelegt und eignet sich daher für Anwendungen, die rauen Umgebungen oder intensiver Nutzung ausgesetzt sind.