Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.7 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
725-9353
Distrelec-Artikelnummer:
304-45-312
Herst. Teile-Nr.:
IRLML2030TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.04mm

Höhe

1.02mm

Breite

1.4 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon


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