Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.6 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 725-9350P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML0100TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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|---|---|
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 235mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -16V, +16V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 235mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -16V, +16V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
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