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    Infineon HEXFET IRLB3813PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 260 A 230 W, 3-Pin TO-220AB

    RS Best.-Nr.:
    725-9313P
    Herst. Teile-Nr.:
    IRLB3813PBF
    Hersteller:
    Infineon
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    Rechtliche Anforderungen


    Informationen zur Produktgruppe

    N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon


    Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.


    MOSFET-Transistoren, Infineon


    Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

    Technische Daten des gezeigten Artikels

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.260 A
    Drain-Source-Spannung max.30 V
    GehäusegrößeTO-220AB
    Montage-TypDurchsteckmontage
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.2 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.2.35V
    Gate-Schwellenspannung min.1.35V
    Verlustleistung max.230 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Länge10.67mm
    Breite4.83mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Gate-Ladung typ. @ Vgs57 nC @ 4,5 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    SerieHEXFET
    Höhe9.02mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C
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