IXYS HiperFET, Q-Class IXFB38N100Q2 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1000 V / 38 A 890 W, 3-Pin PLUS264

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RS Best.-Nr.:
711-5336P
Herst. Teile-Nr.:
IXFB38N100Q2
Hersteller:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

38 A

Drain-Source-Spannung max.

1000 V

Gehäusegröße

PLUS264

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

250 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Verlustleistung max.

890 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

250 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

20.29mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5.31mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

HiperFET, Q-Class

Höhe

26.59mm

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