Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 110 A 375 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
710-5060
Herst. Teile-Nr.:
SUM110P06-07L-E3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0088Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

230nC

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.41mm

Höhe

4.83mm

Breite

9.65mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

MERKMALE

• TrenchFET ® Leistungs-MOSFET

• Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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