Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.3 A 3.4 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
710-3345
Herst. Teile-Nr.:
SI4559ADY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

72mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

3.4W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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