Vishay SI2308BDS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,9 A 1,09 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 710-3257
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2308BDS-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,9 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 156 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 1,09 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4,5 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 1.4mm |
| Länge | 3.04mm |
| Höhe | 1.02mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 710-3257
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2308BDS-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay